本文件規(guī)定了利用透射電子顯微鏡（TEM）測量金屬薄晶體中位錯密度的設(shè)備、試樣、測定方法、數(shù)據(jù)處理、測定結(jié)果的不確定度和試驗報告。
本文件適用于測定晶粒內(nèi)不高于1×10 15m-2的位錯密度。也適用于測量幾十納米至幾百納米厚度金屬薄晶體試樣中單個晶粒內(nèi)的位錯密度。