本文件規(guī)定了CMOS集成電路抗輻射（總劑量、單粒子）加固設計的流程、設計要求、建模仿真、驗證試驗要求。
本文件適用于基于體硅/SOI CMOS工藝的數(shù)字集成電路、模擬集成電路和數(shù)模混合集成電路的抗輻射（總劑量、單粒子）加固設計。