本標(biāo)準(zhǔn)參考了IEC 60333：1993《核儀器 半導(dǎo)體帶電粒子探測(cè)器 測(cè)試程序》。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 13178-1991《金硅面壘型探測(cè)器》。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器（簡(jiǎn)稱(chēng)探測(cè)器）的產(chǎn)品分類(lèi)、技術(shù)要求、測(cè)試方法、檢驗(yàn)規(guī)則等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器（不包括位置靈敏探測(cè)器）。鋰漂移金硅面壘型探測(cè)器也
可參照?qǐng)?zhí)行。
本標(biāo)準(zhǔn)保留GB/T 13178-1991的大部分內(nèi)容，對(duì)其的主要修改如下：
——增加前言；
——引用新的規(guī)范性文件；
——產(chǎn)品的外形及結(jié)構(gòu)尺寸僅保留A型，刪去原標(biāo)準(zhǔn)的B型和C型；
——部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器的分類(lèi)僅保留最小耗盡層深度為300μm一類(lèi)，而主要性能增加“允許最大噪聲”。