本部分從卡片檢測的角度描述了對借記/貸記卡片個人化的要求。

本部分從卡片檢測角度描述了非接觸快速借記/貸記交易流程的要求，包括電氣特性通訊協(xié)議測試和應用內(nèi)核測試等。

本部分給出了非接觸IC卡支付終端模擬測試案例、非接觸IC卡支付終端協(xié)議測試案例、非接觸IC卡支付終端QPBOC應用測試案例。

JR/T 0109的本部分規(guī)定了智能電視支付體系中各種交易的正常處理流程和異常處理流程。

JR/T 0109的本部分規(guī)定了智能電視支付體系中聯(lián)機交易使用的報文接口，包括報文格式以及報文主要要素。

JR/T 0109的本部分規(guī)定了智能電視支付交易網(wǎng)絡中安全傳輸數(shù)據(jù)信息應達到的要求，包括數(shù)據(jù)傳輸安全要求、密鑰管理方法和加密方法。

JR/T 0109的本部分規(guī)定了智能電視支付交易網(wǎng)絡中聯(lián)機交易與文件傳輸?shù)耐ㄐ沤涌趨f(xié)議。

JR/T 0109的本部分規(guī)定了智能電視支付應用終端的硬件要求以及客戶端軟件的管理及安全要求。

本文件規(guī)定了火力發(fā)電廠蒸汽管道壽命評估的條件、流程和程序、基礎工作、壽命計算推薦的方法及壽命評估報告。

本文件規(guī)定了以室內(nèi)導航為主的實時定位系統(tǒng)性能的測試要求，描述了其測試方法。 本文件適用于以室內(nèi)導航為主的實時定位系統(tǒng)性能的測試與評價。

本文件規(guī)定了緊縮場場地性能確認方法，包括一般要求、測量系統(tǒng)、測量方法、試驗報告以及安全防護要求等。本文件適用于工作頻率范圍為0.6 GHz～110 GHz的緊縮場場地性能的確認，其他頻率范圍參照使用。

本文件界定了智能音箱智能化等級分類，規(guī)定了智能音箱的系統(tǒng)架構(gòu)、聲頻性能、語音交互、安全性，以及智能音箱智能化技術(shù)要求，描述了對應的測試方法。 本文件適用于智能音箱產(chǎn)品及其系統(tǒng)的研發(fā)、設計和測試，其他采用語音交互技術(shù)的智能硬件產(chǎn)品也可參考使用。

本文件描述了帶有顯示屏的電子設備的藍光測量方法。適用于直視型顯示設備，包括電視機、顯示器、平板電腦等，其他顯示設備可參照使用。

本文件規(guī)定了采用液晶（LCD）顯示技術(shù)的電視接收設備顯示性能的基本技術(shù)要求，描述了對應的測量條件和測量方法。 本文件適用于基于液晶顯示技術(shù)的電視接收設備的設計、生產(chǎn)和檢驗。

本文件規(guī)定了支持高動態(tài)范圍（HDR）技術(shù)的電視接收設備 HDR性能的基本技術(shù)要求，描述了對應的測量條件和測量方法。適用于基于液晶顯示技術(shù)、有機發(fā)光二極管顯示技術(shù)的電視接收設備的設計、生產(chǎn)和檢驗，其它顯示技術(shù)的電視接收設備可參照使用。

本文件規(guī)定了基于低頻噪聲參數(shù)的電子元器件可靠性評價方法的通用要求，為具體電子元器件可靠性的低頻噪聲評價方法標準的制定和實施提供指導。 本文件適用于在電子元器件生產(chǎn)過程中及使用前對元器件可靠性進行評價，由研制生產(chǎn)企業(yè)、用戶或其它相應檢測機構(gòu)實施。

本文件規(guī)定了用于光電耦合器件可靠性評價的低頻噪聲參數(shù)、評價方法及方法應用。

本文件規(guī)定了用于穩(wěn)壓二極管可靠性評價的低頻噪聲參數(shù)、評價方法及方法應用。

本文件依據(jù)電壓調(diào)整器低頻噪聲參數(shù)測試要求和測試技術(shù)現(xiàn)狀，規(guī)定了 1Hz～300kHz 頻率范圍內(nèi)的低頻噪聲參數(shù)測試方法，主要包括電壓調(diào)整器低頻噪聲測試的測試參數(shù)、測試條件、測試偏置電路、測試程序、資料性附錄等，適用于電壓調(diào)整器產(chǎn)品低頻噪聲參數(shù)測試。

本文件規(guī)定了 3DG2484 產(chǎn)品的外形、極限值、電特性及考核要求。

本文件規(guī)定了 3DG3500、3DG3501 產(chǎn)品的外形、極限值、電特性及考核要求。

本文件規(guī)定了 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB 產(chǎn)品的外形、極限值、電特性及考核要求。

本文件規(guī)定了 S3DK5794 產(chǎn)品的外形、極限值、電特性及考核要求。

本文件規(guī)定了服務機器人用鋰離子電池及電池組的術(shù)語和定義、要求、試驗方法。 本文件適用于服務機器人用鋰離子電池和電池組。

本文件規(guī)定了正壓懸浮區(qū)熔單晶硅爐的產(chǎn)品標記和主要參數(shù)、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則和標志、包裝、運輸、儲存。適用于以高純多晶硅做原料，采用懸浮區(qū)熔法進行半導體級單晶硅生長的單晶硅爐。

本文件規(guī)定了光伏用直拉單晶爐的術(shù)語定義、規(guī)格型號、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存。適用于采用軟軸直拉法進行太陽能級 8 英寸和 12 英寸單晶硅生長的單晶爐。

本文件規(guī)定了光伏用紫外老化試驗箱紫外輻射光譜分布、輻照度，以及紫外輻照度不均勻度的測量方法，包括術(shù)語定義、測試環(huán)境、測試設備、測試步驟、結(jié)果處理及報告等內(nèi)容。適用于紫外箱指定測試平面上（250 - 400）nm 波長范圍內(nèi)的紫外輻射光譜分布、輻照度和紫外輻照度不均勻度的…

本文件規(guī)定了光纖通信用法布里-泊羅型及分布式反饋型半導體激光器芯片的術(shù)語和定義、縮略語、分類、技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、標志、產(chǎn)品說明書和貯存等。 本文件適用于 10Gbaud（NRZ）、25Gbaud（NRZ）和 25Gbaud（PAM4）光纖通信系統(tǒng)中法布里-泊羅激光二極管（FP-…

本文件規(guī)定了光纖通信用垂直腔面發(fā)射型半導體激光器的術(shù)語和定義、縮略語、技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、標志、產(chǎn)品說明書和貯存等。 本文件適用于 10Gbaud（NRZ）、25Gbaud（NRZ）和 25Gbaud（PAM4）垂直腔面發(fā)射型激光器芯片。

本文件規(guī)定了光纖通信用電吸收調(diào)制型半導體激光器芯片的術(shù)語和定義、縮略語、技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、標志、產(chǎn)品說明書和貯存等。 本文件適用于 10Gbaud（NRZ）、25Gbaud（NRZ/PAM4）和 50Gbaud（NRZ/PAM4）電吸收調(diào)制型半導體激光器芯片（EML）