或<100>晶向的p型或n型拋光片或外延片,電阻率大于0.001Ω·cm。 " />
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用熱氧化和化學(xué)擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗(yàn)拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測(cè)方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)<111>或<100>晶向的p型或n型拋光片或外延片,電阻率大于0.001Ω·cm。
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