、<100>和<110>晶向的硅單晶襯底上生長的2μm～120μm硅外延層厚度的測量。" />

日本三级少妇三级99|日日夜夜久久一二三区导航|AV在线免费观看AV|亚洲色图网站黄色视频免费看|无码少妇AV在线|日韩免费四区超碰成人卡通|一级黄色a片无码|波多野结衣一级黄色A片|韩国AⅤ不卡爱av网|日韩在线观看免费青青草

安全管理網(wǎng)

現(xiàn)行
導(dǎo)航：安全管理網(wǎng)>> 安全標準>> 行業(yè)標準>> 冶金>>正文

硅外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法

標 準 號： YS/T 23-2016
替代情況： 替代 YS/T 23-1992
發(fā)布單位： 中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位： 南京國盛電子有限公司
發(fā)布日期： 2016-04-05
實施日期： 2016-09-01
點 擊 數(shù)：
更新日期： 2017年12月26日
下載地址：點擊這里 1.84MB
下載點數(shù)：20點（VIP會員免費）
內(nèi)容摘要

本標準規(guī)定了利用堆垛層錯尺寸法測量硅外延層厚度的方法。
本標準適用于在<111>、<100>和<110>晶向的硅單晶襯底上生長的2μm～120μm硅外延層厚度的測量。

上一篇： 氧化亞鎳
下載地址（請點擊下面地址下載）
*本標準來自網(wǎng)友 zhuyeliang 分享，只作為網(wǎng)友的交流學(xué)習(xí)之用。
網(wǎng)友評論 more
創(chuàng)想安科網(wǎng)站簡介會員服務(wù)廣告服務(wù)業(yè)務(wù)合作提交需求會員中心在線投稿版權(quán)聲明友情鏈接聯(lián)系我們