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硅單晶中碳、氧含量的測(cè)定 低溫傅立葉變換紅外光譜法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 35306-2017
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 昆明冶研新材料股份有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司等
發(fā)布日期： 2017-12-29
實(shí)施日期： 2018-07-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2018年04月08日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)定硅單晶中代位碳、間隙氧雜質(zhì)含量的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅單晶中代位碳、間隙氧雜質(zhì)含量的測(cè)定。
　　

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