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低位錯(cuò)密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測量方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 34481-2017
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 云南中科鑫圓晶體材料有限公司、云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司、中科院半導(dǎo)體研究所
發(fā)布日期： 2017-10-14
實(shí)施日期： 2018-07-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2018年05月16日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低位錯(cuò)密度鍺單晶片的腐蝕坑密度(EPD)的測量方法。?
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測試位錯(cuò)密度小于1 000個(gè)/cm??2?、直徑為75 mm~150 mm的圓形鍺單晶片的位錯(cuò)腐蝕坑密度。

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