本文件規(guī)定了用直排四探針法和直流兩探針法測(cè)試硅單晶電阻率的方法。
本文件適用于硅單晶電阻率的測(cè)試，其中直排四探針法可測(cè)試的p型硅單晶電阻率范圍為7 10-4 ·cm～8 103 ·cm，n型硅單晶電阻率范圍為7 10-4 ·cm～1.5 104 ·cm；直流兩探針法適用于測(cè)試截面積均勻的圓形、方形或矩形硅單晶的電阻率，測(cè)試范圍為1 10-3 ·cm～1 104 ·cm，樣品長(zhǎng)度與截面最大尺寸之比不小于3:1。硅單晶其他范圍電阻率的測(cè)試可參照本文件進(jìn)行。