方向0°～8°的碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試。" />

日本三级少妇三级99|日日夜夜久久一二三区导航|AV在线免费观看AV|亚洲色图网站黄色视频免费看|无码少妇AV在线|日韩免费四区超碰成人卡通|一级黄色a片无码|波多野结衣一级黄色A片|韩国AⅤ不卡爱av网|日韩在线观看免费青青草

安全管理網(wǎng)

碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 41765-2022
替代情況：
發(fā)布單位： 國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司
發(fā)布日期： 2022-10-12
實(shí)施日期： 2023-05-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2023年05月30日
內(nèi)容摘要

本文件規(guī)定了碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法。
本文件適用于晶面偏離面、偏向<11?2 0>方向0°～8°的碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試。

如需幫助，請(qǐng)聯(lián)系我們。聯(lián)系電話400-6018-655。
網(wǎng)友評(píng)論 more
創(chuàng)想安科網(wǎng)站簡(jiǎn)介會(huì)員服務(wù)廣告服務(wù)業(yè)務(wù)合作提交需求會(huì)員中心在線投稿版權(quán)聲明友情鏈接聯(lián)系我們