本文件描述了利用X射線衍射儀測(cè)試半導(dǎo)體材料雙晶搖擺曲線半高寬，進(jìn)而評(píng)價(jià)半導(dǎo)體單晶晶體質(zhì)量的方法。本文件適用于碳化硅、金剛石、氧化鎵等單晶材料晶體質(zhì)量的測(cè)試，硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料晶體質(zhì)量的測(cè)試也可參照本文件執(zhí)行。