晶向、電阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm 硅單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法制備的硅單晶,主要用于制作滿足集成電路IC用線寬0..." />
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑300mm、p型、<100>晶向、電阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm 硅單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法制備的硅單晶,主要用于制作滿足集成電路IC用線寬0.13μm 及以下技術(shù)需求的300mm 硅單晶拋光片。
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