本標準規(guī)定了用直流四探針法測量鍺單晶電阻率的方法。本標準適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍鍺單晶的體電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍鍺單晶圓片（簡稱圓片）的電阻率。