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硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 24575-2009
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
發(fā)布日期: 2009-10-30
實(shí)施日期: 2010-06-01
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更新日期: 2025年03月12日
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內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅和外延片表面Na、Al、K 和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于用二次離子質(zhì)譜法(SIMS)檢測(cè)鏡面拋光單晶硅片和外延片表面的Na、Al、K 和Fe每種金屬總量。本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試的是每種金屬的總量,因此該方法與各金屬的化學(xué)和電學(xué)特性無(wú)關(guān)。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于所有摻雜種類和摻雜濃度的硅片。
本標(biāo)準(zhǔn)特別適用于位于晶片表面約5nm 深度內(nèi)的表面金屬沾污的測(cè)試。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于面密度范圍在(109~1014)atoms/cm2 的Na、Al、K 和Fe的測(cè)試。本方法的檢測(cè)限取決于空白值或計(jì)數(shù)率極限,因儀器的不同而不同。?

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