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III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測(cè)試 透射電子顯微鏡法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 44558-2024
替代情況：
發(fā)布單位： 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司、TCL環(huán)鑫半導(dǎo)體(天津)有限公司、蘇州大學(xué)等
發(fā)布日期： 2024-09-29
實(shí)施日期： 2025-04-01
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更新日期： 2025年08月21日
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內(nèi)容摘要

本文件描述了用透射電子顯微鏡測(cè)試Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的方法。本文件適用于六方晶系Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的薄膜或體單晶中位錯(cuò)成像的測(cè)試。

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