本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用電容位移傳感法測(cè)定硅片表面局部平整度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于無(wú)接觸、非破壞性地測(cè)量干燥、潔凈的半導(dǎo)體硅片表面的局部平整度。適用于直徑100mm及以上、厚度250μm及以上腐蝕、拋光及外延硅片。