本文件描述了采用紅外反射法測(cè)試碳化硅外延層厚度的方法。
本文件適用于n型摻雜濃度大于1×1018 ?cm-3的碳化硅襯底上同質(zhì)摻雜濃度小于1×1016 cm-3的同質(zhì)碳化硅外延層厚度的測(cè)試，測(cè)試范圍為3 μm～200 μm。