本文件規(guī)定了非本征硅單晶和鍺單晶體內(nèi)載流子復合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的光電導衰減測試方法。本文件適用于非本征硅單晶和鍺單晶中非平衡少數(shù)載流子壽命的測試。直流光電導衰減脈沖光法可測試具有特殊尺寸的長方體或圓柱體樣品，測試硅單晶的最短壽命值為50 μs，測試鍺單晶最短壽命值為10μs。高頻光電導衰減法可測試棒狀或塊狀樣品，測試硅單晶和鍺單晶的最短壽命值為10μs。注：直流光電導衰減方法有兩種：直流光電導衰減脈沖光法和直流光電導衰減斬波光法（見附錄A）。